سامسونگ در جریان رویداد Memory Tech Days 2023، از حافظه HBM3E خود با نام Shinebolt رونمایی کرد. حافظه HBM3E این شرکت نسبت‌به حافظه فعلی HBM3، ارتقایافته است و معیارهای جدیدی برای پهنای باند و سرعت حافظه ارائه می‌دهد. این حافظه قرار است با پردازنده‌ها و GPUهای پیشرفته برای سرورها و محاسبات سطح بالا استفاده شود. این شرکت همچنین اطلاعات بیشتری در مورد توسعه GDDR7 VRAM، حافظه CAMM LPDDR5X و AutoSSD جداشدنی خود ارائه کرده است.
حافظه HBM3E سامسونگ از تراشه‌های مشابه Micron و SK Hynix سریع‌تر است
حافظه DRAM Shinebolt HBM3E شرکت سامسونگ به‌منظور استفاده در مراکز داده برای آموزش مدل‌های هوش مصنوعی و چندین برنامه کاربردی دیگر با کارایی بالا طراحی شده است. این حافظه همچنین سرعت انتقال داده 9.8 گیگابیت‌برثانیه در هر پین را ارائه می‌دهد که به این معنی است که می‌تواند به سرعت انتقال تا 1.2 ترابیت‌برثانیه برسد. سامسونگ فناوری NCF (فیلم غیر رسانا) خود را برای حذف شکاف بین لایه‌های تراشه بهینه کرده است تا هدایت حرارتی را بهبود بخشد.
سامسونگ همچنین درحال ساخت قالب حافظه 24 گیگابایتی HBM خود با استفاده از گره کلاس 10 نانومتری (14 نانومتری) مبتنی‌بر EUV نسل چهارم خود است. این شرکت با استفاده از پشته‌های 8Hi و 12Hi خود، می‌تواند ظرفیت‌های 24 و 36 گیگابایتی ایجاد کند که 50 درصد ظرفیت بالاتری نسبت‌به حافظه HBM3 ارائه می‌دهد. این شرکت حداقل سرعت 8 گیگابیت‌برثانیه را تبلیغ می‌کند و یک پشته HBM3E را با حداقل پهنای باند 1 ترابایت‌برثانیه و حداکثر پهنای باند 1.225 ترابایت‌برثانیه ارائه می‌دهد که بالاتر از Micron و SK Hynix به‌عنوان رقبای خود است.
حافظه HBM3E این شرکت درحال‌حاضر در مرحله نمونه‌برداری قرار دارد و برای آزمایش به مشتریان خود ارسال می‌شود. همچنین تولید انبوه این تراشه‌های حافظه از سال 2024 آغاز خواهد شد.
حافظه HBM3E سامسونگ
سامسونگ جزئیات بیشتری در مورد توسعه حافظه HBM4 ارائه می‌کند
سامسونگ همچنین از فناوری‌های پیشرفته‌تر تولید و بسته‌بندی تراشه برای حافظه HBM4 استفاده خواهد کرد. درحالی‌که مشخصات HBM4 حتی هنوز تأیید نشده، مشخص شده است که این شرکت به‌دنبال استفاده از یک رابط حافظه گسترده‌تر (2048 بیتی) است. غول کره‌ای می‌خواهد از ترانزیستورهای FinFET به‌جای ترانزیستورهای مسطح برای کاهش مصرف انرژی استفاده کند.
سازنده تراشه‌های حافظه کره‌ای می‌خواهد از اتصال میکرو بامپ به پیوند بدون ضربه (مس به مس به‌صورت مستقیم) برای این بسته‌بندی حرکت کند. این فناوری حتی در تولید تراشه‌های منطقی نسبتاً جدید است، بنابراین HBM4 ممکن است بسیار پرهزینه باشد.
GDDR7 سامسونگ 50 درصد مصرف انرژی کمتری در حالت آماده‌به‌کار ارائه می‌دهد
چند ماه پیش، سامسونگ فاش کرد که توسعه اولیه حافظه GDDR7 را تکمیل کرده است. GDDR7 از سیگنال‌دهی PMA3 استفاده می‌کند و 1.5 بیت را برای انتقال سیکل ارائه می‌دهد. این شرکت ارسال ماژول‌های 16 گیگابیتی (2 گیگابایت) را آغاز خواهد کرد که می‌توانند تا 32 گیگابیت‌برثانیه کار کنند که نسبت‌به حافظه GDDR6 تا 33 درصد بهبود یافته است.
این حافظه می‌تواند سرعت انتقال 1 ترابایت‌برثانیه را از طریق گذرگاه حافظه 256 بیتی ارائه دهد. این نوع حافظه جدید به‌لطف کنترل‌های فرکانس اضافی، بهره‌وری انرژی را در حالت فعال و آماده‌به‌کار بهبود می‌بخشد. سامسونگ انتظار دارد اولین شرکتی باشد که عرضه تراشه‌های حافظه GDDR7 را در سال 2024 آغاز می‌کند. بااین‌حال، بازه زمانی دقیقی برای عرضه این تراشه هنوز مشخص نشده است.
سامسونگ همچنین حافظه SSD و LPCAMM پتابایت را فاش کرد
در طول رویداد Memory Tech Days 2023، سامسونگ همچنین فاش کرد که می‌تواند اولین شرکتی باشد که یک SSD در مقیاس پتابایت (PBSSD) عرضه می‌کند. چند روز پیش، این برند یک فرم فاکتور جدید برای LPDDR5X DRAM برای لپ‌تاپ‌ها و رایانه‌های شخصی اعلام کرد: تراشه‌های حافظه LPCAMM. این ضریب فرم DRAM فشرده و درعین‌حال جداشدنی جدید به بازارهای لپ‌تاپ و رایانه‌های شخصی اجازه می‌دهد تا دستگاه‌های فشرده‌تری را که DRAM در آن‌ها لحیم نشده است، ارائه کنند. بنابراین، کاربران می‌توانند ماژول‌های CAMM2 DRAM را حذف و ارتقا دهند.
برای حجم کاری تخصصی هوش مصنوعی روی دستگاه، این شرکت LLW2 DRAM را به‌نمایش گذاشت. سامسونگ همچنین از تراشه‌های LPDDR5X DRAM با سرعت 9.6 گیگابیت‌برثانیه و تراشه‌های نسل بعدی UFS خود رونمایی کرد.
سامسونگ اولین SSDهای جداشدنی جهان را برای مصارف خودرویی رونمایی کرد
برای مصارف خودرویی، سامسونگ Detachable AutoSSD را معرفی کرد که دارای سرعت انتقال داده تا 6500 مگابایت‌برثانیه و ظرفیت ذخیره‌سازی تا 4 ترابایت است. ازآنجایی‌که این SSD قابل جدا شدن است، خودروسازان می‌توانند تغییراتی در پیکربندی خودروهای خود ایجاد کنند. این شرکت کره‌ای همچنین تراشه‌های حافظه با پهنای باند بالای GDDR7 VRAM و LPDDR5X DRAM در سطح خودرو را به‌نمایش گذاشت.
Jung-Bae Lee، رئیس و رئیس کسب‌وکار حافظه در Samsung Electronics، بیان کرد: «دوران جدید هوش مصنوعی در مقیاس بزرگ، صنعت را به دوراهی رسانده است که در آن نوآوری با فرصت تلاقی می‌شود و با وجود چالش‌ها، زمانی را با پتانسیل بالا برای جهش‌های بزرگ به جلو ارائه می‌کنند. ازطریق تخیل بی‌پایان و پشتکار بی‌امان، ما رهبری بازار خود را با هدایت نوآوری و همکاری با مشتریان و شرکا برای ارائه راه‌حل‌هایی که امکانات را گسترش می‌دهد، ادامه خواهیم داد.»
نظر شما درباره حافظه HBM3E سامسونگ و سایر نوآوری‌های این برند کره‌ای چیست؟
بفرست برای دوستات
منبع: https://مایفون مگ.ir/2023/10/23/%D8%B3%D8%A7%D9%85%D8%B3%D9%88%D9%86%DA%AF-%D8%AD%D8%A7%D9%81%D8%B8%D9%87-shinebolt-hbm3e-%D8%AE%D9%88%D8%AF-%D8%B1%D8%A7-%D8%A8%D8%A7-%D8%B3%D8%B1%D8%B9%D8%AA-%D8%A7%D9%86%D8%AA%D9%82%D8%A7%D9%84/
