همکاری اپل و TSMC برای انتقال فناوری تولید تراشه 3 نانومتری به ایالات متحده

اپل و TSMC دو شرکتی هستند که در سال های اخیر همکاری بسیار گسترده ای داشته اند. TSMC تراشه هایی را تولید می کند که اپل در آیفون های خود استفاده می کند. طبق یک گزارش جدید، احتمالاً باید شاهد همکاری اپل و TSMC برای آوردن فناوری ساخت تراشه 3 نانومتری به ایالات متحده باشیم. با مایفون مگ بیا

همکاری اپل و TSMC برای انتقال فناوری تولید تراشه 3 نانومتری به ایالات متحده

یکی از مواردی که دولت ترامپ به شدت در اجرای آن مشارکت داشته است، تمرکز بر تولید محصولات نیمه هادی در ایالات متحده است. این امر باعث شده است که سازنده تراشه پیشرو در جهان، TSMC، یک مرکز تولید تراشه در فینیکس، آریزونا افتتاح کند که انتظار می‌رود در سال 2024 خط تولید خود را (با استفاده از فرآیند 5 نانومتری) که شرکت‌ها به آن نیاز دارند، متوقف کند. ظاهرا اپل و TSMC در حال بحث در مورد انتقال فناوری تولید تراشه های 3 نانومتری به ایالات متحده هستند.

همانطور که قبلاً گفتیم، هرچه تعداد فرآیندهای تولید کمتر باشد، ترانزیستورهای کوچک بیشتری در داخل تراشه وجود دارد. این مهم است زیرا به طور کلی، هر چه ترانزیستورهای بیشتری در داخل یک تراشه قرار گیرند، قدرتمندتر و مصرف آن کمتر است. امسال، Samsung Foundry تراشه های 3 نانومتری خود را عرضه خواهد کرد و سال آینده، TSMC چیپست 3 نانومتری A17 Bionic را برای آیفون 15 پرو و ​​آیفون 15 اولترا به اپل تحویل خواهد داد.

به عنوان مثال، آیفون 11 سری A13 Bionic در سال 2019 توسط TSMC با استفاده از فرآیند 7 نانومتری این شرکت ساخته شد که شامل 8.5 میلیارد ترانزیستور است. تراشه A16 Bionic که به عنوان قلب تپنده مدل‌های آیفون 14 پرو استفاده می‌شود، توسط TSMC با استفاده از فرآیند پیشرفته 5 نانومتری (که 4 نانومتری نیز نامیده می‌شود) تولید می‌شود و هر تراشه حاوی نزدیک به 16 میلیارد ترانزیستور است. در ماه می 2021، IBM اعلام کرد که یک تراشه 2 نانومتری ساخته است که می تواند 50 میلیارد ترانزیستور را در فضایی به اندازه یک ناخن جای دهد.

اپل که 25 درصد از درآمد سالانه TSMC را به خود اختصاص می دهد، می خواهد تولید تراشه را به منطقه ای از جهان منتقل کند که به طور بالقوه مانند تایوان متمرکز بر چین نیست. از آنجایی که چین به دنبال خودکفایی در تولید تراشه است، همچنان ترس از حمله نظامی به تایوان وجود دارد. اپل قصد دارد تولیدات پیشرفته TSMC را به خارج از تایوان و به ایالات متحده منتقل کند.

همانطور که گفتیم، مرکز TSMC آمریکا قرار است تراشه های 5 نانومتری تولید کند. اما طبق گزارش TechSpot، اپل و TSMC در حال مذاکره برای انتقال فناوری تولید تراشه 3 نانومتری TSMC به ایالات متحده هستند. ممکن است برای آوردن استعدادهای برتر به ایالات متحده نیاز به TSMC بیشتری باشد. اگر TSMC بتواند تراشه‌های خود را در آریزونا تولید کند، اپل می‌تواند دسترسی سریع‌تری به تراشه‌ها داشته باشد و شاید نگرانی‌هایی که ممکن است در مورد وضعیت ژئوپلیتیک تایوان ایجاد شود را از بین ببرد.

بدیهی است که این اتفاق نمی تواند فوراً رخ دهد و با توجه به اینکه کارخانه ای در آریزونا تا سال 2025 عملیاتی نمی شود، تا زمانی که فرآیند تولید و فناوری 3 نانومتری برای تولید در ایالات متحده در دسترس نباشد، اپل ممکن است استفاده از یک تراشه 2 نانومتری را در این مورد در نظر بگیرد. کشور. اگر این شرکت به تمایز تراشه های مورد استفاده در مدل های غیر پرو و ​​پرو ادامه دهد، آیفون 17 پرو و ​​سری آیفون 17 و آیفون 17 پلاس می توانند تا سال 2025 از تراشه های ساخت ایالات متحده استفاده کنند.

علاوه بر این، یکی از کارخانه های TSMC در حال حاضر روی راهی برای کاهش فرآیند تولید به 1 نانومتر کار می کند. ماه گذشته، Samsung Foundry نقشه راه تولید تراشه خود را اعلام کرد که از روند تولید 3 نانومتری امسال به 2 نانومتر در سال 2025 تغییر خواهد کرد. Samsung Foundry اعلام کرد که تراشه هایی را با استفاده از فرآیند تولید 1.4 نانومتری در سال 2027 تولید خواهد کرد. اینتل سال گذشته اعلام کرد که فناوری های جدید به آن اجازه می دهد تا تا سال 2025 با TSMC و سامسونگ برای بهترین فرآیند تولید رقابت کند.

لازم به ذکر است که TSMC تا زمانی که تراشه های 2 نانومتری را منتشر نکند، فناوری تولید خود را برای ترانزیستورهای Gate All Around تغییر نخواهد داد. مشکل پیش روی شرکت هایی مانند TSMC، Samsung Foundry و Intel این است که چگونه ترانزیستورها را کوچکتر کنند. کل فرآیند بسیار پیچیده است و چند سالی است که TSMC و Samsung Foundry از ترانزیستورهای FinFET استفاده می کنند. سامسونگ امسال استفاده از ترانزیستورهای Gate-All-Around (GAA) را آغاز کرد.

با توجه PhoneArenaترانزیستورهای GAA می توانند گیت را با هر چهار طرف کانال ترانزیستور در تماس قرار دهند تا کنترل بیشتری بر جریان جریان داشته باشند (ترانزیستورهای FinFET فقط سه طرف کانال را می پوشانند) و باله عمودی را با پشته های افقی جایگزین کنند. اینها نانوصفحات نامیده می شوند. ترانزیستور GAA که در اصل توسط سامسونگ طراحی شده است، می تواند با قرار دادن ترانزیستورهای بیشتر در یک تراشه، به کاهش اندازه ترانزیستور (که مزایای زیادی نیز دارد) و بهبود چگالی ترانزیستور کمک کند.

تراشه‌های GAA همچنین به کانال اجازه می‌دهند تا در داخل کامپوننت گسترش یابد، که سرعت ساخت تراشه را افزایش می‌دهد. همچنین به تولید تراشه های قدرتمندتر و کارآمدتر کمک می کند. اگر به خاطر داشته باشید، TSMC به دلیل فناوری تولید 3 نانومتری خود از FinFET استفاده می کند و زمانی که تراشه های 2 نانومتری از خط تولید خارج می شوند، از فناوری GAA استفاده می کند. سامسونگ در حال حاضر از فناوری GAA بر روی قطعات 3 نانومتری خود استفاده می کند.