طبق یک گزارش جدید، سامسونگ الکترونیکس آماده تولید انبوه تراشه های نسل سوم 4 نانومتری خود است. ظاهراً شرکت کره ای مشکلات عملکرد را در مراحل اولیه برطرف کرده و عملکرد، مصرف انرژی و بهبود کلی را بهبود بخشیده است. انتظار می رود تولید در نیمه اول آغاز شود.
نسل سوم تراشه 4 نانومتری سامسونگ
سامسونگ کارایی ویفر چیپست های نسل بعدی خود را که قبلاً در کارخانه Hwaseong تولید می شدند و بسیار ضعیف بودند، بهبود بخشیده است. این پیشرفت به سامسونگ اجازه داد تا با سایر شرکت های نیمه هادی مانند TSMC رقابت کند و مشتریانی مانند Qualcomm را که قبلاً مجبور به تکیه بر پلتفرم های 4 نانومتری TSMC بودند، جذب کند.
در گزارش تجاری سامسونگ که چند روز پیش منتشر شد، غول فناوری کره ای برنامه خود را برای تولید انبوه تراشه های نسل بعدی 4 نانومتری اعلام کرد. در مقایسه با SF4E اصلی، تراشه های نسل دوم و سوم 4 نانومتری عملکرد بالاتر، مصرف انرژی کمتر و اندازه کوچکتر را ارائه می دهند.
Exynos
گفته می شود فرآیند 4 نانومتری سامسونگ 60 درصد کارآمد است. لازم به ذکر است که این عدد با بازده 70-80% TSMC برابری نمی کند. با این حال، کارشناسان می گویند که کارایی سامسونگ به سرعت در حال بهبود است و تولید انبوه نسخه بعدی نیز شتاب می گیرد.
همانطور که گفته شد، Samsung Electronics پیشرفت قابل توجهی در غلبه بر موانع فنی مانند افزایش عملکرد و کارایی در فرآیندهای تولید پیشرفته داشته است.
نطر شما چی هست؟ به نظر شما کره ای ها می توانند با تایوانی ها رقابت کنند؟
برای دوستان خود ارسال کنید
