سامسونگ اولین رم DDR5 را با فرآیند 12 نانومتری تولید کرد
سامسونگ به تازگی از اولین تراشه های DDR5 DRAM جهان که با استفاده از فرآیند 12 نانومتری ساخته شده است، رونمایی کرد. این شرکت در نمایش تراشههای 16 گیگابایتی DDR5 DRAM خود بیان میکند که از نظر سازگاری با پردازندههای Zen AMD ارزیابی شدهاند.
اولین رم DDR5 سامسونگ با فرآیند 12 نانومتری
تراشههای جدید نسبت به تراشههای DRAM نسل قبلی کارآمدتر هستند و 23 درصد عملکرد بهتری دارند. این شرکت کره ای همچنین ادعا می کند که با استفاده از مواد با کیفیت بالا که ظرفیت سلول را افزایش می دهد، این جهش فناوری را ممکن کرده است. سامسونگ همچنین از فناوری اختصاصی خود برای بهبود مدارهای حیاتی استفاده کرده است.
تراشههای جدید DDR5 DRAM این شرکت از لیتوگرافی چند لایه پیشرفته برای بالاترین چگالی قالب در صنعت استفاده میکنند و 20 درصد راندمان ویفر بالاتری را ارائه میدهند. این تراشه ها قادر به انتقال اطلاعات با سرعت 7.2 گیگابیت بر ثانیه هستند که معادل پردازش دو فیلم 30 گیگابایتی 4K در یک ثانیه است.
سامسونگ تولید انبوه تراشه های DRAM 12 نانومتری DDR5 DRAM خود را در اوایل سال 2023 آغاز خواهد کرد. ما می توانیم محصولات مبتنی بر این تراشه های DRAM را در سه ماهه چهارم 2023 انتظار داشته باشیم.
جویونگ لی، معاون اجرایی محصولات و فناوری های DRAM در سامسونگ الکترونیکدرباره معرفی اولین حافظه رم DDR5 با فرآیند 12 نانومتری گفت: حافظه رم جدید DRAM با فرآیند تولید 12 نانومتری ما یک عامل کلیدی در پذیرش DRAM DDR5 در بازار خواهد بود. با عملکرد استثنایی و بهره وری انرژی، انتظار داریم DRAM جدید ما به عنوان پایه ای برای عملیات پایدارتر در زمینه هایی مانند محاسبات نسل بعدی، مراکز داده و سیستم های مبتنی بر هوش مصنوعی عمل کند.»
در نهایت، نظر شما در مورد معرفی اولین حافظه رم DDR5 سامسونگ با فرآیند تولید 12 نانومتری و سرعت انتقال اطلاعات فوق العاده بالا چیست؟
برای دوستان خود ارسال کنید